參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1360B-225BGI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Plastic Connector Backshell; No. of Positions:40 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 13/34頁(yè)
文件大?。?/td> 895K
代理商： CY7C1360B-225BGI
CY7C1360B
CY7C1362B
Document #: 38-05291 Rev. *C
Page 13 of 34
.
ZZ Mode Electrical Characteristics
Interleaved Burst Address Table
(MODE = Floating or V
DD
)
First
Address
A
1
, A
0
A
1
, A
0
00
01
10
11
Second
Address
Third
Address
A
1
, A
0
10
11
00
01
Fourth
Address
A
1
, A
0
11
10
01
00
01
00
11
10
Linear Burst Address Table
(MODE = GND)
First
Address
A
1
, A
0
00
01
10
11
Second
Address
A
1
, A
0
01
10
11
00
Third
Address
A
1
, A
0
10
11
00
01
Fourth
Address
A
1
, A
0
11
00
01
10
Parameter
I
DDZZ
t
ZZS
t
ZZREC
t
ZZI
t
RZZI
Description
Test Conditions
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ < 0.2V
This parameter is sampled
This parameter is sampled
Min.
Max.
35
2t
CYC
Unit
mA
ns
ns
ns
ns
Snooze mode standby current
Device operation to ZZ
ZZ recovery time
ZZ Active to snooze current
ZZ Inactive to exit snooze current
2t
CYC
2t
CYC
0
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PDF描述
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CY7C145AV-20JC 3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9 Dual-Port Static RAM
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參數(shù)描述
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