參數(shù)資料
型號： CY7C1360B-225BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 28/34頁
文件大?。?/td> 895K
代理商： CY7C1360B-225BGC
CY7C1360B
CY7C1362B
Document #: 38-05291 Rev. *C
Page 28 of 34
Read/Write Cycle Timing
[22, 24, 25]
Notes:
24.The data bus (Q) remains in high-Z following a Write cycle, unless a new Read access is initiated by ADSP or ADSC.
25.GW is HIGH.
Switching Waveforms
(continued)
tCYC
tCL
CLK
ADSP
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
OE
ADSC
CE
tAH
tAS
A2
tCEH
tCES
BWE,
BW
X
Data Out (Q)
High-Z
ADV
Single WRITE
D(A3)
A4
A5
A6
D(A5)
D(A6)
Data In (D)
BURST READ
Back-to-Back READs
High-Z
Q(A2)
Q(A1)
Q(A4)
Q(A4+1)
Q(A4+2)
tWEH
tWES
Q(A4+3)
tOEHZ
tDH
tDS
tOELZ
tCLZ
tCO
Back-to-Back
WRITEs
A1
DON’T CARE
UNDEFINED
A3
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PDF描述
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