參數資料
型號： CY7C1356CV25
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 9兆位（256 × 36/512K × 18）流水線的SRAM架構的總線延遲⑩
文件頁數： 19/28頁
文件大?。?/td> 444K
代理商： CY7C1356CV25
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *H
Page 19 of 28
Switching Waveforms
Read/Write Timing
[23, 24, 25]
Notes:
23.For this waveform ZZ is tied LOW.
24.When CE is LOW, CE
is LOW, CE
is HIGH and CE
is LOW. When CE is HIGH,CE
is HIGH or CE
is LOW or CE
is HIGH.
25.Order of the Burst sequence is determined by the status of the MODE (0 = Linear, 1 = Interleaved). Burst operations are optional.
WRITE
D(A1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLK
tCYC
t
CL
t
CH
10
CE
t
CEH
t
CES
WE
CEN
t
CENH
t
CENS
BW
X
ADV/LD
t
AH
t
AS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
t
DH
t
DS
Data
n-Out (DQ)
t
CLZ
D(A1)
D(A2)
D(A5)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
t
DOH
t
CHZ
t
CO
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
t
OEV
t
OELZ
t
OEHZ
t
DOH
DON’T CARE
UNDEFINED
Q(A6)
Q(A4+1)
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1356CV25-166AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-166AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
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參數描述
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CY7C1356CV25-166AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1356CV25-166CKJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1356CV25-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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