參數(shù)資料
型號: CY7C1356CV25-166BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 512K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 5/28頁
文件大小: 444K
代理商: CY7C1356CV25-166BZXI
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *H
Page 5 of 28
Pin Configurations
(continued)
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CY7C1356CV25 (512K × 18)
CY7C1354CV25 (256K × 36)
165-Ball FBGA Pinout
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1356CV25-200AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-200AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-200BGC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-200BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356CV25-200BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1356CV25-166CKJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1356CV25-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1356CV25-200AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1356CV25-250AXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1356S-166AXC 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)