參數(shù)資料
型號: CY7C1356C-250BGI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 512K X 18 ZBT SRAM, 2.8 ns, PBGA119
封裝: (14 X 22 X 2.4) MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 18/28頁
文件大?。?/td> 467K
代理商: CY7C1356C-250BGI
CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 18 of 28
Capacitance
[16]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V V
DDQ
= 2.5V
100 TQFP
Max.
5
5
5
119 BGA
Max.
5
5
7
165 FBGA
Max.
5
5
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Thermal Resistance
[16]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures for
measuring thermal impedance,
per EIA/JESD51.
100 TQFP
Max.
29.41
119 BGA
Max.
34.1
165 FBGA
Max.
16.8
Unit
°C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6.13
14.0
3.0
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
1 ns
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R = 1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
1 ns
1 ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1356C-250BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356C-250BGXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356C-250BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356C-250BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356C-250BZXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1356CV25-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1356CV25-166AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1356CV25-166CKJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1356CV25-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1356CV25-200AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray