- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379065 > CY7C1356C-200AXI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1356C-200AXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.2 ns, PQFP100 |
| 封裝： | (14 X 20 X 1.4) MM, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | CY7C1356C-200AXI |
第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 4 of 28
Pin Configurations
(continued)
2
A
3
A
4
5
A
6
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
DQ
a
V
DDQ
NC/576M
NC/1G
DQ
c
DQ
c
DQ
d
DQ
d
DQ
c
V
DDQ
DQ
d
DQ
d
V
DDQ
NC/18M
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
CE
2
A
DQP
c
A
A
V
DDQ
DQ
c
V
DDQ
NC/144M
NC
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
d
DQ
d
DQ
d
DQ
d
TMS
V
DD
A
NC/72M
DQP
d
A
ADV/LD
V
DD
NC
CE
1
OE
A
A
A
CE
3
A
DQP
b
DQ
b
V
SS
V
SS
V
SS
BW
c
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
DQ
b
V
DDQ
DQ
b
DQ
b
DQ
a
DQP
a
DQ
b
DQ
b
DQ
b
V
DD
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
NC
TDI
TDO
V
DDQ
TCK
V
SS
NC
V
SS
BW
d
V
SS
V
SS
V
SS
MODE
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
WE
V
DD
CLK
NC
V
DDQ
CEN
A1
A0
V
DDQ
DQ
a
ZZ
NC/288M
A
A
V
DD
A
CY7C1354C (256K × 36)
NC/36M
119-Ball BGA Pinout
2
A
3
A
A
A
4
5
A
A
A
6
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC/36M
TCK
DQ
a
V
DDQ
NC/576M
NC/1G
DQ
b
NC
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
NC
DQ
b
NC
DQ
b
V
DDQ
NC
DQ
b
V
DDQ
NC/18M
V
DDQ
NC
NC
NC
DQ
a
V
DDQ
CE
2
A
V
DDQ
NC/144M
NC/72M
DQ
b
NC
V
DD
DQ
b
NC
DQ
b
NC
DQP
b
TMS
A
A
A
ADV/LD
V
DD
NC
CE
3
A
DQP
a
NC
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
DQ
a
NC
V
DDQ
DQ
a
NC
DQ
a
NC
DQ
a
V
DD
NC
DQ
a
NC
DQ
a
NC
V
DDQ
NC
NC
TDI
TDO
V
DDQ
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
MODE
CE
1
OE
A
WE
V
DD
CLK
NC
CEN
A1
A0
ZZ
NC/288M
A
A
A
V
DD
CY7C1356C (512K x 18)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1356C-200BGC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200BGI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200BGXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1356C-200BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1356C-250AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1356C-250AXCKJ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1356C-250AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1356CV25-166AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1356CV25-166AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。