- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379065 > CY7C1356C-166BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1356C-166BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | (13 X 15 X 1.4) MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | CY7C1356C-166BZXC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 18 of 28
Capacitance
[16]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V V
DDQ
= 2.5V
100 TQFP
Max.
5
5
5
119 BGA
Max.
5
5
7
165 FBGA
Max.
5
5
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Thermal Resistance
[16]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures for
measuring thermal impedance,
per EIA/JESD51.
100 TQFP
Max.
29.41
119 BGA
Max.
34.1
165 FBGA
Max.
16.8
Unit
°C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6.13
14.0
3.0
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R = 1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1354C | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C_06 | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-166AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-166AXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-166BGC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1356C-250AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1356C-250AXCKJ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1356C-250AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1356CV25-166AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1356CV25-166AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。