參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1355C-133BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
文件頁數(shù)： 17/32頁
文件大?。?/td> 496K
代理商： CY7C1355C-133BGC
PRELIMINARY
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. **
Page 17 of 33
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................
V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
Description
Output HIGH Voltage
Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –4.0 mA
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100 μA
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Note:
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C-133BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1355C-133BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355C-133BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C1355S-133AXC 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYN 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1355S-133AXCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355S-133BGC 功能描述:IC SRAM 256KX36 NOBL 119-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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