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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1355C-100AXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | CY7C1355C-100AXC |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 14 of 28
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................ V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times................................................... 1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics
And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 3.3V ± 0.165V unless
otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
Description
Output HIGH Voltage
Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –4.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OH
= –1.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage
I
OH
= –100 μA
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
CY7C1355C
(256Kx36)
010
01010
001001
100110
00000110100
1
CY7C1357C
(512Kx18)
010
01010
001001
010110
00000110100
1
Description
Revision Number (31:29)
Device Depth (28:24)
Device Width (23:18)
Cypress Device ID (17:12)
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
ID Register Presence Indicator (0)
Describes the version number
Reserved for Internal Use
Defines memory type and architecture
Defines width and density
Allows unique identification of SRAM vendor
Indicates the presence of an ID register
Note:
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
[+] Feedback
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1355C-100BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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