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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1355C-100AC |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 9兆位（256 × 36/512K × 18）流體系結(jié)構，通過與總線延遲靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 17/32頁 |
| 文件大小： | 496K |
| 代理商： | CY7C1355C-100AC |
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PRELIMINARY
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. **
Page 17 of 33
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................
V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
Description
Output HIGH Voltage
Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –4.0 mA
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100 μA
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Note:
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
Input Load Current
GND < V
IN
< V
DDQ
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1355C-100AXCT | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1355C-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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