參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1354CV25-225BGC
廠(chǎng)商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
中文描述： 9兆位（256 × 36/512K × 18）流水線(xiàn)的SRAM的總線(xiàn)延遲，TM架構(gòu)
文件頁(yè)數(shù)： 25/25頁(yè)
文件大?。?/td> 353K
代理商： CY7C1354CV25-225BGC
PRELIMINARY
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *B
Page 25 of 25
Document History Page
Document Title: CY7C1354CV25/CY7C1356CV25 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
with NoBL Architecture
Document Number: 38-05537
Orig. of
Change
**
242032
See ECN
RKF
New data sheet
*A
278969
See ECN
RKF
Changed Boundary Scan order to match the B Rev of these devices
*B
284929
See ECN
RKF
VBL
Changed ISB1 and ISB3 from DC Characteristic table as follows:
ISB1: 225 MHz -> 130 mA, 200 MHz -> 120 mA, 167 MHz -> 110 mA
ISB3: 225 MHz -> 120 mA, 200 MHz -> 110 mA, 167 MHz -> 100 mA
Changed IDDZZ to 50mA.
Added BG and BZ pkg lead-free part numbers to ordering info section.
REV.
ECN No.
Issue Date
Description of Change
Included DC Characteristics Table
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1354CV25-225BGI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-225BGXC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-225BGXI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-225BZC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1354CV25-225BZI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1354D-200BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SYNC SRAMS - Trays 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165FBGA
CY7C1354DV25-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kbx36 2.4V-2.6V 9Mb 200MHz PIPELINE RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354S-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1354S-166AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1354S-166BGC 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYNC 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1354S-200AXC 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYN 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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