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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1354CV25-166BGC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 444K |
| 代理商： | CY7C1354CV25-166BGC |
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CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *H
Page 20 of 28
NOP, STALL and DESELECT CYCLES
[23, 24, 26]
Note:
26.The IGNORE CLOCK EDGE or STALL cycle (Clock 3) illustrated CEN being used to create a pause. A write is not performed during this cycle.
Switching Waveforms
(continued)
READ
Q(A3)
4
5
6
7
8
9
10
CLK
CE
WE
CEN
BW
X
ADV/LD
ADDRESS
A3
A4
A5
D(A4)
Data
In-Out (DQ)
A1
Q(A5)
WRITE
D(A4)
STALL
WRITE
D(A1)
1
2
3
READ
Q(A2)
STALL
NOP
READ
Q(A5)
DESELECT
CONTINUE
DESELECT
DON’T CARE
UNDEFINED
t
CHZ
A2
D(A1)
Q(A2)
Q(A3)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1354CV25-166BGI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354CV25-166BGXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1354CV25-166BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V NoBL Sync-PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1354CV25-166BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V NoBL Sync-PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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