- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄379065 > CY7C1354C-166BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1354C-166BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | (13 X 15 X 1.4) MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | CY7C1354C-166BZXC |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)當(dāng)前第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)
CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 18 of 28
Capacitance
[16]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V V
DDQ
= 2.5V
100 TQFP
Max.
5
5
5
119 BGA
Max.
5
5
7
165 FBGA
Max.
5
5
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Thermal Resistance
[16]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures for
measuring thermal impedance,
per EIA/JESD51.
100 TQFP
Max.
29.41
119 BGA
Max.
34.1
165 FBGA
Max.
16.8
Unit
°C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6.13
14.0
3.0
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R = 1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1354C-166BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200AXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200BGC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200BGI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1354C-167AXC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2 |
| CY7C1354C-200AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync PL COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1354C-200AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync PL COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1354C-200AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync-PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1354C-200AXIKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。