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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1354C-166BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | (14 X 22 X 2.4) MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | CY7C1354C-166BGI |
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CY7C1354C
CY7C1356C
Document #: 38-05538 Rev. *G
Page 22 of 28
27.Device must be deselected when entering ZZ mode. See cycle description table for all possible signal conditions to deselect the device.
28.I/Os are in High-Z when exiting ZZ sleep mode.
ZZ Mode Timing
[27, 28]
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1354C-167AXC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2 |
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