參數資料
型號: CY7C1347G-133BGXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 4 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
文件頁數: 19/21頁
文件大小: 841K
代理商: CY7C1347G-133BGXC
CY7C1347G
Document #: 38-05516 Rev. *E
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Figure 7. 119-Ball BGA (14 x 22 x 2.4 mm), 51-85115
Package Diagrams
(continued)
51-85115-*B
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PDF描述
CY7C1347G-133BGXI 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G-133BZC 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G-133BZI 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G-133BZXC 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G-133BZXI 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
CY7C1347G-133BGXCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1347G-133BGXIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1347G-133BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1347G-133BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1347G-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray