參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1318BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（2字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 -兆位的DDR - II SRAM的）
文件頁數(shù)： 26/28頁
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代理商： CY7C1318BV18
CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
Document Number: 38-05621 Rev. *C
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250
CY7C1316BV18-250BZI
CY7C1916BV18-250BZI
CY7C1318BV18-250BZI
CY7C1320BV18-250BZI
CY7C1316BV18-250BZXI
CY7C1916BV18-250BZXI
CY7C1318BV18-250BZXI
CY7C1320BV18-250BZXI
CY7C1316BV18-278BZC
CY7C1916BV18-278BZC
CY7C1318BV18-278BZC
CY7C1320BV18-278BZC
CY7C1316BV18-278BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-278BZXC
CY7C1318BV18-278BZXC
CY7C1320BV18-278BZXC
CY7C1316BV18-278BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-278BZI
CY7C1318BV18-278BZI
CY7C1320BV18-278BZI
CY7C1316BV18-278BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-278BZXI
CY7C1318BV18-278BZXI
CY7C1320BV18-278BZXI
CY7C1316BV18-300BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-300BZC
CY7C1318BV18-300BZC
CY7C1320BV18-300BZC
CY7C1316BV18-300BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-300BZXC
CY7C1318BV18-300BZXC
CY7C1320BV18-300BZXC
CY7C1316BV18-300BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1916BV18-300BZI
CY7C1318BV18-300BZI
CY7C1320BV18-300BZI
CY7C1316BV18-300BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1916BV18-300BZXI
CY7C1318BV18-300BZXI
CY7C1320BV18-300BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
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CY7C192 64K x 4 Static RAM with Separate I/O(帶獨(dú)立的輸入/輸出口的64K x 4靜態(tài) RAM)
CY7C194B 256 Kb (64K x 4) Static RAM
CY7C194B-15PC 256 Kb (64K x 4) Static RAM
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CY7C194B-25VC 256 Kb (64K x 4) Static RAM
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參數(shù)描述
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