參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1307V25
英文描述： Memory
中文描述： 內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 194K
代理商： CY7C1307V25
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
Description
Conditions
Min.
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
No input may exceed VCC + 0.5V
VCC = VDR = 2.0V,
CE > VCC – 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V or VIN < 0.3V
2.0
V
ICCDR
Data Retention Current
300
A
tCDR
[3]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
tR
Operation Recovery Time
200
s
Data Retention Waveform
3.0V
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
CE
VCC
Switching Waveforms
Read Cycle No. 1[9, 10]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]
Notes:
9.
Device is continuously selected. OE, CE = VIL.
10. WE is HIGH for read cycle.
11. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tDOE
tLZOE
tLZCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
tHZOE
tHZCE
tPD
HIGH
OE
CE
ICC
ISB
IMPEDANCE
ADDRESS
DATA OUT
VCC
SUPPLY
CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C131 Memory
CY7C1310V18 Memory
CY7C131-15JC IC-SM 1KX8 DUAL PORT RAM
CY7C131-25JC x8 Dual-Port SRAM
CY7C131-25JCT x8 Dual-Port SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1308DV25-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308DV25C-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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