- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379058 > CY7C1257V18-300BZI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1257V18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 4M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 1037K |
| 代理商： | CY7C1257V18-300BZI |
第1頁當前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
CY7C1246V18
CY7C1257V18
CY7C1248V18
CY7C1250V18
Document Number: 001-06348 Rev. *C
Page 2 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1246V18)
Logic Block Diagram (CY7C1257V18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
NWS
[1:0]
V
REF
W
8
8
LD
21
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
8
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[8:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
BWS
[0]
V
REF
W
9
9
LD
21
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
9
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1257V18-300BZXC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1257V18-300BZXI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1257V18-333BZC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1257V18-333BZI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1257V18-333BZXC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1262XV18-366BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1262XV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C12631KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb X 18 400MHz QDR-II+ 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1263KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1263KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。