參數(shù)資料
型號： CY7C1256V18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 36兆位的國防評估報告⑩- II SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（2.0周期讀寫延遲）
文件頁數(shù)： 21/28頁
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代理商： CY7C1256V18
CY7C1241V18
CY7C1256V18
CY7C1243V18
CY7C1245V18
Document Number: 001-06365 Rev. *C
Page 21 of 28
Maximum Ratings
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Storage Temperature .................................–65°C to +150°C
Ambient Temperature with Power Applied..–55°C to +125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND........–0.5V to +2.9V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND .....–0.5V to + V
DD
DC Applied to Outputs in High-Z .........–0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
DC Input Voltage
[13]
...............................–0.5V to V
DD
+ 0.3V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015)... >2001V
Latch Up Current.................................................... >200 mA
Operating Range
Range
Com’l
Ind’l
Ambient
Temperature (T
A
)
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
[17]
1.8 ± 0.1V
V
DDQ
[17]
1.4V to V
DD
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[14]
DC Electrical Characteristics
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
OH(LOW)
V
OL(LOW)
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
V
REF
I
DD
Power Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
I/O Supply Voltage
1.4
1.5
V
DD
V
Output HIGH Voltage
Note 18
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.15
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
Output LOW Voltage
Note 19
V
Output HIGH Voltage
I
OH
=
0.1 mA, Nominal Impedance
I
OL
= 0.1 mA, Nominal Impedance
V
Output LOW Voltage
V
Input HIGH Voltage
V
DDQ
+ 0.15
V
REF
– 0.1
2
V
Input LOW Voltage
V
Input Leakage Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ,
Output Disabled
Typical Value = 0.75V
2
μ
A
Output Leakage Current
Input Reference Voltage
[20]
2
2
μ
A
0.68
0.75
0.95
V
V
DD
Operating Supply
V
DD
= Max., I
OUT
= 0mA,
f = f
MAX
= 1/t
CYC
300 MHz
1040
mA
333 MHz
1120
mA
375 MHz
1240
mA
I
SB1
Automatic Power down
Current
Max. V
DD
, Both Ports
Deselected, V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
MAX
= 1/t
CYC
,
Inputs Static
300 MHz
280
mA
333 MHz
300
mA
375 MHz
310
mA
AC Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[13]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
IH
V
IL
Input HIGH Voltage
V
REF
+ 0.2
–0.24
–
V
DDQ
+ 0.24
V
REF
– 0.2
V
Input LOW Voltage
–
V
Notes
17.Power-up: Assumes a linear ramp from 0V to V
DD
(min) within 200 ms. During this time V
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD.
18.Outputs are impedance controlled. I
OH
=
(V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175
<= RQ <= 350
s.
19.Outputs are impedance controlled. I
= (V
/2)/(RQ/5) for values of 175
<= RQ <= 350
s.
20.V
REF
(min) = 0.68V or 0.46V
DDQ
, whichever is larger; V
REF
(max) =
0.95V or 0.54V
DDQ
, whichever is smaller.
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PDF描述
CY7C1256V18-300BZC 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
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CY7C1256V18-300BZXC 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1256V18-300BZXI 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
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參數(shù)描述
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CY7C1262XV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12631KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb X 18 400MHz QDR-II+ 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1263KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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