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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1246V18-333BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 1037K |
| 代理商： | CY7C1246V18-333BZXC |
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CY7C1246V18
CY7C1257V18
CY7C1248V18
CY7C1250V18
Document Number: 001-06348 Rev. *C
Page 3 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1248V18)
Logic Block Diagram (CY7C1250V18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[17:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
18
BWS
[1:0]
V
REF
W
18
18
LD
20
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
18
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[35:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
36
BWS
[3:0]
V
REF
W
36
36
LD
19
5
5
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
36
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1246V18-333BZXI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-375BZC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-375BZI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-375BZXC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-375BZXI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1248KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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