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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1246V18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 1037K |
| 代理商： | CY7C1246V18-300BZI |
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CY7C1246V18
CY7C1257V18
CY7C1248V18
CY7C1250V18
Document Number: 001-06348 Rev. *C
Page 5 of 27
Pin Configurations
(continued)
CY7C1248V18 (2M x 18)
165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
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DQ9
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NC
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NC
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REF
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0
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QVLD
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CQ
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TDI
TMS
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CY7C1250V18 (1M x 36)
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NC/144M
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A
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DQ27
NC
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NC
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REF
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A
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SS
A
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QVLD
A
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CQ
DQ0
NC/72M
LD
A
V
SS
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DDQ
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A
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DQ6
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ZQ
NC
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REF
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NC
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NC
NC
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NC
NC
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DQ4
NC
NC
NC
DQ1
DQ10
TDI
TMS
A
DQ15
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1246V18-300BZXC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-300BZXI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-333BZC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-333BZI | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1246V18-333BZXC | 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C12481KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M X 18 400MHz DDR II+ 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C12481KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| CY7C1248KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1248KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1248KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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