參數(shù)資料
型號： CY7C1243V18-300BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 25/28頁
文件大小： 1042K
代理商： CY7C1243V18-300BZC
CY7C1241V18
CY7C1256V18
CY7C1243V18
CY7C1245V18
Document Number: 001-06365 Rev. *C
Page 25 of 28
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Speed
(MHz)
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Diagram
375
CY7C1241V18-375BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1256V18-375BZC
CY7C1243V18-375BZC
CY7C1245V18-375BZC
CY7C1241V18-375BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1256V18-375BZXC
CY7C1243V18-375BZXC
CY7C1245V18-375BZXC
CY7C1241V18-375BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1256V18-375BZI
CY7C1243V18-375BZI
CY7C1245V18-375BZI
CY7C1241V18-375BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1256V18-375BZXI
CY7C1243V18-375BZXI
CY7C1245V18-375BZXI
333
CY7C1241V18-333BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1256V18-333BZC
CY7C1243V18-333BZC
CY7C1245V18-333BZC
CY7C1241V18-333BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1256V18-333BZXC
CY7C1243V18-333BZXC
CY7C1245V18-333BZXC
CY7C1241V18-333BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1256V18-333BZI
CY7C1243V18-333BZI
CY7C1245V18-333BZI
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1256V18-333BZXI
CY7C1243V18-333BZXI
CY7C1245V18-333BZXI
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Package Type
Operating
Range
Commercial
Industrial
Commercial
Industrial
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PDF描述
CY7C1243V18-300BZXC 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1243V18-300BZXI 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1245V18 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1245V18-300BZC 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1245V18-300BZI 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
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參數(shù)描述
CY7C12451KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12451KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1M X 36 400MHz QDR II+ 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1245KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1245KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1245KV18-400BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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