參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1176V18-333BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 2M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 24/29頁(yè)
文件大?。?/td> 956K
代理商： CY7C1176V18-333BZI
CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
Page 24 of 29
DLL Timing
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
Clock Phase Jitter
–
0.20
–
0.20
–
0.20
–
0.20
ns
DLL Lock Time (K)
K Static to DLL Reset
[29]
2048
–
2048
–
2048
–
2048
–
Cycles
30
–
30
–
30
–
30
–
ns
Switching Characteristics
Over the operating range
[22, 23]
(continued)
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
400 MHz
375 MHz
333 MHz
300 MHz
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Note
29.Hold to >V
IH
or <V
IL
.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1176V18-333BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1176V18-333BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
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CY7C1166V18-300BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1166V18-300BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
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參數(shù)描述
CY7C1214F-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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