- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378497 > CY7C1168V18 (Cypress Semiconductor Corp.) 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1168V18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（2.5周期讀寫延遲） |
| 文件頁數(shù)： | 23/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 963K |
| 代理商： | CY7C1168V18 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 23 of 27
Switching Waveform
Read/Write/Deselect Sequence
Figure 7. Waveform for 2.5 Cycle Read Latency
[27, 28]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
READ
READ
NOP
WRITE
WRITE
t
NOP
11
LD
R/W
A
tKH
tKL
tCYC
tHC
tSA
tHA
DON’T CARE
UNDEFINED
SC
A0
A1
A2
A3
A4
CQ
CQ
K
QVLD
t
NOP
NOP
DQ
K
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
QVLD
t
QVLD
t
QVLD
t
KHKH
12
READ
(Read Latency = 2.5 Cycles)
NOP
NOP
tCLZ
tCHZ
CQDOH
Q00
Q11
Q01
Q10
tDOH
tCO
Q40
tSD
HD
tSD
D21
tHD
D20
D30
D31
t
tCQD
t
tCQH
tCQHCQH
Notes
27.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0 + 1.
28.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1168V18-300BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1168V18-375BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+ B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168V18-375BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168V18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168V18-400BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1168V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。