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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1166V18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（2.5周期讀寫延遲） |
| 文件頁數(shù)： | 4/27頁 |
| 文件大小： | 963K |
| 代理商： | CY7C1166V18 |
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CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 4 of 27
Pin Configurations
CY7C1166V18 (2M x 8)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
2
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A
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REF
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QVLD
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CQ
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NC/36M
LD
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TDI
TMS
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CY7C1177V18 (2M x 9)
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DQ6
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NC/288M
A
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BWS
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CQ
DQ8
NC/36M
LD
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TDI
TMS
A
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A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1166V18-300BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1166V18-300BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1166V18-300BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1166V18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1166V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C11681KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 450 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 450 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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