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參數資料
| 型號： | CY7C1166V18-333BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 2/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 963K |
| 代理商： | CY7C1166V18-333BZXI |
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CY7C1166V18
CY7C1177V18
CY7C1168V18
CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *C
Page 2 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1166V18)
Logic Block Diagram (CY7C1177V18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
NWS
[1:0]
V
REF
W
8
8
LD
20
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
8
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
DQ
[8:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
BWS
[0]
V
REF
W
9
9
LD
20
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
QVLD
9
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1168V18 | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1168V18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C11681KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 450 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 450 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1168KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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