型號: | CY7C1165V18-333BZXC |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
中文描述: | 512K X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
封裝: | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBGA-165 |
文件頁數(shù): | 4/29頁 |
文件大?。?/td> | 956K |
代理商: | CY7C1165V18-333BZXC |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1165V18-333BZXI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
CY7C1176V18 | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1165V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q+, B4 2.5 LATENCY RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1165XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C11681KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C11681KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C11681KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 450 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |