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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1165V18-333BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/29頁 |
| 文件大小： | 956K |
| 代理商： | CY7C1165V18-333BZI |
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CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
Page 2 of 29
Logic Block Diagram (CY7C1161V18)
Logic Block Diagram (CY7C1176V18)
5
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
NWS
[1:0]
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
16
19
8
32
8
V
REF
W
Write
Reg
16
A
(18:0)
19
5
5
5
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
8
CQ
CQ
DOFF
QVLD
5
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
19
9
36
9
V
REF
W
Write
Reg
18
A
(18:0)
19
5
5
5
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
9
CQ
CQ
DOFF
QVLD
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1165V18-333BZXC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1165V18-333BZXI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1176V18 | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1176V18-300BZC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1176V18-300BZI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1165V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M Q+, B4 2.5 LATENCY RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1165XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C11681KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11681KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb x 18 450 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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