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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1163V18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 1M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 956K |
| 代理商： | CY7C1163V18-300BZI |
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CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
Page 5 of 29
Pin Configurations
(continued)
CY7C1163V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
2
3
4
5
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1
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1
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WPS
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DDQ
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DDQ
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DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/288M
BWS
0
A
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D9
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Q10
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NC
NC
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NC
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REF
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NC
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A
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QVLD
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CQ
Q8
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D7
Q0
NC/72M
NC
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NC
RPS
A
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SS
V
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NC
NC
NC
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NC
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D4
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D1
TDI
TMS
D6
A
NC
CY7C1165V18 (512K x 36)
2
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K
K
NC
V
SS
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7
1
A
B
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CQ
Q27
D27
D28
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DOFF
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Q33
D33
NC/288M NC/72M
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
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DD
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WPS
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SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
Q18
Q28
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D18
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Q19
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D30
TDO
D29
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REF
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Q24
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D26
Q31
TCK
D35
V
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DD
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A
V
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A
V
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A
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DD
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SS
A
A
NC
Q29
QVLD
A
8
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CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/36M
NC/144M
D17
D16
Q16
RPS
A
V
SS
V
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DDQ
V
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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SS
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SS
A
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Q17
Q7
D15
Q6
Q5
D5
ZQ
D9
D0
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
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Q1
Q3
Q2
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
D4
D2
D1
TDI
TMS
D6
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1163V18-300BZXC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1163V18-300BZXI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1163V18-333BZC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1163V18-333BZI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1163V18-333BZXC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| CY7C1165AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1165KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1165KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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