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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1062DV33-10BGXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16-Mbit (512K X 32) Static RAM |
| 中文描述： | 512K X 32 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | CY7C1062DV33-10BGXI |
PRELIMINARY
CY7C1062DV33
Document #: 38-05477 Rev.*C
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Truth Table
CE
1
H
CE
2
X
CE
3
X
OE
WE
B
A
X
B
B
X
B
c
X
B
D
X
I/O
0
–I/O
7
High-Z
I/O
8
–I/O
15
I/O
16
–I/O
23
I/O
24
–I/O
31
High-Z
High-Z
Mode
Power
X
X
High-Z
Power Down (I
SB
)
Power Down (I
SB
)
Power Down (I
SB
)
Read All Bits (I
CC
)
Read Byte A
Bits Only
X
H
X
X
X
X
X
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
X
X
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X
X
X
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
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L
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L
Data Out
Data Out
Data Out
Data Out
L
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Data Out
High-Z
High-Z
High-Z
(I
CC
)
L
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L
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High-Z
Data Out
High-Z
High-Z
Read Byte B
Bits Only
(I
CC
)
L
L
L
L
H
H
H
L
H
High-Z
High-Z
Data Out
High-Z
Read Byte C
Bits Only
(I
CC
)
L
L
L
L
H
H
H
H
L
High-Z
High-Z
High-Z
Data Out
Read Byte D
Bits Only
(I
CC
)
L
L
L
X
L
L
L
L
L
Data In
Data In
Data In
Data In
Write All Bits (I
CC
)
Write Byte A
Bits Only
L
L
L
X
L
L
H
H
H
Data In
High-Z
High-Z
High-Z
(I
CC
)
L
L
L
X
L
H
L
H
H
High-Z
Data In
High-Z
High-Z
Write Byte B
Bits Only
(I
CC
)
L
L
L
X
L
H
H
L
H
High-Z
High-Z
Data In
High-Z
Write Byte C
Bits Only
(I
CC
)
L
L
L
X
L
H
H
H
L
High-Z
High-Z
High-Z
Data In
Write Byte D
Bits Only
(I
CC
)
L
L
L
H
H
X
X
X
X
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
Selected,
Outputs
Disabled
(I
CC
)
L
L
L
X
X
H
H
H
H
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
Selected,
Outputs
Disabled
(I
CC
)
Ordering Information
Speed
(ns)
10
Ordering Code
CY7C1062DV33-10BGXI
Package
Diagram
51-85115
Package Type
Operating
Range
Industrial
119-ball Plastic Ball Grid Array (14 x 22 x 2.4 mm)
(Pb-free)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1069AV33-10ZXC | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C1069AV33-10ZXI | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C1069AV33-12ZXC | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C1069AV33-12ZXI | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C106 | 256K x 4 Static RAM(256K x 4 靜態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| CY7C1062DV33-10BGXIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16-Mbit (512K x 32) 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1062DV33-2XW11 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:512K X 32 CPG FAST ASYNC SRAM - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| CY7C1062G30-10BGXI | 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 119BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲容量:16Mb （512K x 32） 寫周期時間 - 字，頁:10ns 訪問時間:10ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商器件封裝:119-PBGA（14x22） 標準包裝:84 |
| CY7C1069AV33-10BAC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 8 CPG COM Fast Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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