參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1061AV33-12ZXC
廠(chǎng)商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 16-Mbit (1M x 16) Static RAM
中文描述: 1M X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO54
封裝: LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大小: 566K
代理商: CY7C1061AV33-12ZXC
CY7C1061AV33
Document #: 38-05256 Rev. *G
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Write Cycle No. 1
(CE
1
or CE
2
Controlled)
[15, 16]
Write Cycle No. 2
(WE Controlled, OE LOW)
[15, 16]
Notes
15.Data IO is high impedance if OE, or BHE or BLE or both = V
.
16.If CE
goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high impedance state.
17.During this period, the IOs are in output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
VALID DATA
t
BW
t
SA
NOTE 17
CE
1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA IO
OE
BHE/BLE
VALID DATA
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZWE
t
BW
NOTE 17
CE
1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA IO
BHE
/BLE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C1061AV33-12ZXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY7C1061AV33-12ZXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
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