參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1059DV33-10ZSXI
廠(chǎng)商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8-Mbit (1M x 8) Static RAM
中文描述： 1M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 469K
代理商： CY7C1059DV33-10ZSXI
PRELIMINARY
CY7C1059DV33
Document #: 001-00061 Rev. *B
Page 3 of 9
Maximum Ratings
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lines, not tested.)
Storage Temperature .................................–65
°
C to +150
°
C
Ambient Temperature with
Power Applied.............................................–55
°
C to +125
°
C
Supply Voltage on V
CC
to Relative GND
[2]
....–0.5V to +4.6V
DC Voltage Applied to Outputs
in High-Z State
[2]
....................................–0.3V to V
CC
+ 0.3V
DC Input Voltage
[2]
................................ –0.3V to V
CC
+ 0.3V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage............................................>2001V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
Latch-up Current......................................................>200 mA
Operating Range
Range
Ambient Temperature
–40
°
C to +85
°
C
V
CC
Industrial
3.3V
±
0.3V
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
Description
Test Conditions
–10
Unit
V
V
V
V
μ
A
μ
A
mA
Min.
2.4
Max.
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
[2]
Input Leakage Current
Output Leakage Current
V
CC
Operating
Supply Current
V
CC
= Min., I
OH
= –4.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 8.0 mA
0.4
2.0
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
110
100
90
80
40
GND < V
I
< V
CC
GND < V
OUT
< V
CC
, Output Disabled
V
CC
= Max., f = f
MAX
= 1/t
RC
100 MHz
83 MHz
66 MHz
40 MHz
I
SB1
Automatic CE Power-down
Current —TTL Inputs
Automatic CE Power-down
Current —CMOS Inputs
Max. V
CC
, CE > V
IH
V
IN
> V
IH
or V
IN
< V
IL
, f = f
MAX
Max. V
CC
, CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
> V
CC
– 0.3V, or V
IN
< 0.3V, f = 0
mA
I
SB2
20
mA
Capacitance
[3]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 3.3V
Max.
16
16
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Input Capacitance
I/O Capacitance
Thermal Resistance
[3]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
FBGA
TBD
TSOP II
TBD
Unit
°
C/W
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
four-layer printed circuit board
Θ
JC
TBD
TBD
°
C/W
Notes:
2. V
(min.) = –2.0V and V
(max.) = V
+ 2V for pulse durations of less than 20 ns.
3. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
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