參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1049BV33L-25ZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 8 Static RAM
中文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO44
封裝： TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： CY7C1049BV33L-25ZC
CY7C1049BV33
Document #: 38-05139 Rev. *A
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Maximum Ratings
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Storage Temperature .................................
–
65
°
C to +150
°
C
Ambient Temperature with
Power Applied.............................................
–
55
°
C to +125
°
C
Supply Voltage on V
CC
to Relative GND
[2]
.....
–
0.5V to +4.6V
DC Voltage Applied to Outputs
[2]
in High Z State .......................................
–
0.5V to V
CC
+ 0.5V
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range
DC Input Voltage
[2]
................................
–
0.5V to V
CC
+ 0.5V
Current into Outputs (LOW) ........................................ 20 mA
Operating Range
Range
Ambient
Temperature
0
°
C to +70
°
C
–
40
°
C to +85
°
C
V
CC
Commercial
Industrial
3.3V
±
0.3V
Parame-
ter
V
OH
Description
Output HIGH Voltage
Test Conditions
V
CC
= Min.,
I
OH
=
–
4.0 mA
V
CC
= Min.,
I
OL
= 8.0 mA
-12
-15
-17
Min.
2.4
Max.
Min.
2.4
Max.
Min.
2.4
Max.
Unit
V
V
OL
Output LOW Voltage
0.4
0.4
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.2
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
2.2
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
2.2
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
V
V
IL
I
IX
I
OZ
Input LOW Voltage
[2]
Input Load Current
Output Leakage
Current
V
CC
Operating
Supply Current
–
0.5
–
1
–
1
–
0.5
–
1
–
1
–
0.5
–
1
–
1
V
μ
A
μ
A
GND < V
I
< V
CC
GND < V
OUT
< V
CC
,
Output Disabled
V
CC
= Max.,
f = f
MAX
= 1/t
RC
I
CC
Comm
’
l
Ind
’
l
200
220
30
180
200
30
170
180
30
mA
mA
mA
I
SB1
Automatic CE
Power-Down Current
—
TTL Inputs
Automatic CE
Power-Down Current
—
CMOS Inputs
Max. V
CC
, CE > V
IH
V
IN
> V
IH
or
V
IN
< V
IL
, f = f
MAX
Max. V
CC
,
CE > V
CC
–
0.3V,
V
IN
> V
CC
–
0.3V,
or V
IN
< 0.3V, f = 0
I
SB2
Com
’
l/Ind
’
l
Com
’
l
8
8
8
mA
mA
L
0.5
0.5
0.5
Note:
2.
V
IL
(min.) =
–
2.0V for pulse durations of less than 20 ns.
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