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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1041CV33-20ZE |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO44 |
| 封裝： | TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 595K |
| 代理商： | CY7C1041CV33-20ZE |
CY7C1041CV33
Document #: 38-05134 Rev. *H
Page 6 of 12
Write Cycle
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
Write Cycle Time
CE LOW to Write End
Address Set-Up to Write End
Address Hold from Write End
Address Set-Up to Write Start
WE Pulse Width
Data Set-Up to Write End
Data Hold from Write End
WE HIGH to Low-Z
[7]
WE LOW to High-Z
[7, 8]
Byte Enable to End of Write
10
7
7
0
0
7
5
0
3
12
8
8
0
0
8
6
0
3
15
10
10
0
0
10
7
0
3
20
10
10
0
0
10
8
0
3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
6
7
8
7
8
10
10
Switching Waveforms
Read Cycle No. 1
[11, 12]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)
[12, 13]
Notes:
10.The minimum Write cycle time for Write Cycle No. 3 (WE controlled, OE LOW) is the sum of t
HZWE
and t
SD
.
11.Device is continuously selected. OE, CE, BHE and/or BHE = V
IL
.
12.WE is HIGH for Read cycle.
13.Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
AC Switching Characteristics
[5]
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
-10
-12
-15
-20
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
HIGH IMPEDANCE
t
HZOE
t
HZBE
t
PD
HIGH
OE
CE
ICC
I
I
SB
IMPEDANCE
ADDRESS
DATA OUT
V
SUPPLY
CURRENT
t
DBE
t
LZBE
t
HZCE
BHE, BLE
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1041CV33-20ZSXA | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY7C1041CV33-20ZSXE | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY7C1161V18-333BZXC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1161V18-333BZXI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1163V18 | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1041CV33-20ZI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4MB (256K X 16)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1041CV33-20ZSXA | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K x 16 3.3V ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1041CV33-20ZSXAT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K x 16 3.3V ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1041CV33-20ZSXE | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K x 16 3.3V ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1041CV33-20ZSXET | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K x 16 3.3V ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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