參數(shù)資料
型號: CY7C1041CV33-20VE
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述: 256K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, SOJ-44
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 595K
代理商: CY7C1041CV33-20VE
CY7C1041CV33
Document #: 38-05134 Rev. *H
Page 7 of 12
Write Cycle No. 1 (CE Controlled)
[14, 15]
Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)
Notes:
14.Data I/O is high-impedance if OE or BHE and/or BLE = V
.
15.If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
BW
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
BHE, BLE
t
t
HD
t
SD
t
BW
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
t
SCE
DATA I/O
ADDRESS
BHE, BLE
WE
CE
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1041CV33-20VXE 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY7C1041CV33-20ZE 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY7C1041CV33-20ZSXA 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY7C1041CV33-20ZSXE 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY7C1161V18-333BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1041CV33-20VI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1041CV33-20VXE 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256K X 16 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1041CV33-20VXET 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256K X 16 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1041CV3320ZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1041CV33-20ZC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤