參數(shù)資料
型號: CY7C1021BNV33
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 64K x 16 Static RAM
中文描述: 64K的× 16靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 530K
代理商: CY7C1021BNV33
CY7C1021BNV33
Document #: 001-06433 Rev. **
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)
[13, 14]
Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)
Notes:
13.Data I/O is high impedance if OE or BHE and/or BLE= V
.
14.If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
SCE
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
BW
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
BHE, BLE
t
t
HD
t
SD
t
BW
t
SA
t
HA
t
AW
t
PWE
t
WC
t
SCE
DATA I/O
ADDRESS
BHE, BLE
WE
CE
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PDF描述
CY7C1021BNV33L-10VXC 64K x 16 Static RAM
CY7C1021BNV33L-10ZXC 64K x 16 Static RAM
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參數(shù)描述
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CY7C1021BNV33L-10VXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021BNV33L-10VXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021BNV33L-10ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1021BNV33L-10ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2