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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C0853V-133BBI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 4.7 ns, PBGA172 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.25 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-172 |
| 文件頁數(shù)： | 12/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 764K |
| 代理商： | CY7C0853V-133BBI |
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CY7C0850V/CY7C0851V
CY7C0852V/CY7C0853V
Document #: 38-06070 Rev. *D
Page 12 of 29
Table 5. Scan Registers Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
Identification
Boundary Scan
Bit Size
4
1
32
n
[14]
Table 6. Instruction Identification Codes
Instruction
EXTEST
BYPASS
IDCODE
HIGHZ
Code
Description
0000
1111
1011
0111
Captures the Input/Output ring contents. Places the BSR between the TDI and TDO.
Places the BYR between TDI and TDO.
Loads the IDR with the vendor ID code and places the register between TDI and TDO.
Places BYR between TDI and TDO. Forces all CY7C0851V/CY7C0852V/
CY7C0853V output drivers to a High-Z state.
Controls boundary to 1/0. Places BYR between TDI and TDO.
Captures the input/output ring contents. Places BSR between TDI and TDO.
Resets the non-boundary scan logic. Places BYR between TDI and TDO.
Other combinations are reserved. Do not use other than the above.
CLAMP
SAMPLE/PRELOAD
NBSRST
RESERVED
0100
1000
1100
All other codes
Note:
14. See details in the device BSDL files.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C0853V | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0852V-133AC | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0852V-133AI | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0852V-133BBC | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
| CY7C0852V-133BBI | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C0853V-133BBXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 9MB (256Kx36) 3.3v 133MHz Synch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C0853V-150BBC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 4ns 172-Pin FBGA |
| CY7C09089V-12AC | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C09089V-12AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3V 64Kx8 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C09089V-12AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64Kx8 12ns 512Kb SYNC DUAL PORT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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