參數(shù)資料
型號： CY62167DV20LL-70BVI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16-Mb (1024K x 16) Static RAM
中文描述： 1M X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 8 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： CY62167DV20LL-70BVI
CY62167DV20
MoBL2
Document #: 38-05327 Rev. *B
Page 4 of 10
Thermal Resistance
AC Test Loads and Waveforms
Data Retention Waveform
[10]
Parameter
θ
JA
Description
Test Conditions
BGA
55
Unit
C/W
Thermal Resistance (Junction to
Ambient)
[8]
Thermal Resistance (Junction to
Case)
[8]
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch, two-layer
printed circuit board
θ
JC
16
C/W
V
CC
Typ
V
CC
OUTPUT
R2
C = 30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
OUTPUT
V
Equivalent to:
THéVENIN EQUIVALENT
ALL INPUT PULSES
R
TH
R1
Rise Time:
1 V/ns
Fall Time:
1 V/ns
Data Retention Characteristics
Parameter
V
DR
I
CCDR
Description
Conditions
Min.
1.0
Typ.
Max.
2.2
15
10
Unit
V
μ
A
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
=1.0V, CE
1
> V
CC
0.2V, CE
2
<
0.2V, V
IN
> V
CC
0.2V or V
IN
< 0.2V
L
LL
t
CDR[8]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
0
ns
t
R[9]
t
RC
ns
Parameters
1.8V
UNIT
R1
13500
R2
10800
R
TH
V
TH
6000
0.80
V
Notes:
9.
10.
Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min.)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min.)
> 100
μ
s.
BHE
.
BLE is the AND of both BHE and BLE. Chip can be deselected by either disabling the chip enable signals or by disabling both BHE and BLE.
V
CC(min.)
t
R
V
CC(min.)
t
CDR
V
DR
> 1.0V
DATA RETENTION MODE
CE
or
BHE.BLE
V
CC
CE
2
or
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62167DV30LL-45ZXI 16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL-55BVXI 16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL-55ZXI 16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30 16-Mbit (1M x 16) Static RAM(16-Mb(1M x 16)靜態(tài)RAM)
CY62167EV18 Replacement for National Semiconductor part number 9334DM. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62167DV30L-70BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 1M x 16 70ns 48-Pin VFBGA
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CY62167DV30LL-45ZXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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