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參數(shù)資料
| 型號： | CY62157EV30 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| 中文描述： | 8兆位（為512k × 16）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 551K |
| 代理商： | CY62157EV30 |
CY62157EV30 MoBL
Document #: 38-05445 Rev. *E
Page 5 of 14
Thermal Resistance
[10]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
BGA
72
TSOP I
74.88
TSOP II
76.88
Unit
°
C/W
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
Θ
JC
8.86
8.6
13.52
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Figure 1. AC Test Loads and Waveforms
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
Unit
V
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
Equivalent to:
THé VENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
TH
Data Retention Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
[2]
Max Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
1.5
V
I
CCDR
[9]
Data Retention Current
V
CC
= 1.5V, CE
1
> V
CC
– 0.2V,
CE
2
< 0.2V, V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V
Ind’l/Auto-A
2
5
μ
A
t
CDR [10]
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
ns
t
R [11]
Operation Recovery Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
[12]
Figure 2. Data Retention Waveform
V
CC(min)
t
CDR
V
DR
> 1.5V
DATA RETENTION MODE
t
R
V
CC(min)
CE
1
or
BHE.BLE
V
CC
CE
2
or
Notes
11. Full device operation requires linear V
ramp from V
to V
> 100
μ
s or stable at V
> 100
μ
s.
12.BHE.BLE is the AND of both BHE and BLE. Deselect the chip by either disabling chip enable signals or by disabling both BHE and BLE.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62157EV30LL-45BVI | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30LL-45BVXA | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30LL-45BVXI | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30LL-45ZSXA | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30LL-45ZSXI | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62157EV30LL-45BVI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8M ULTRA LO PWR HI SPD 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62157EV30LL-45BVIT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8M ULTRA LO PWR HI SPD 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62157EV30LL-45BVXA | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62157EV30LL-45BVXAT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY62157EV30LL45BVXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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