參數(shù)資料
型號(hào): CY62157ELL-55ZSXE
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
中文描述: 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝: LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 530K
代理商: CY62157ELL-55ZSXE
CY62157E MoBL
Document #: 38-05695 Rev. *E
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Write Cycle No. 3
(WE Controlled, OE LOW)
[21]
Figure 7. Write Cycle No. 3
Write Cycle No. 4
(BHE/BLE Controlled, OE LOW)
[21]
Figure 8. Write Cycle No. 4
Switching Waveforms
(continued)
VALID DATA
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZWE
t
BW
NOTE 22
CE
1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA IO
BHE
/BLE
t
HD
t
SD
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
VALID DATA
t
BW
t
SCE
t
PWE
NOTE 22
CE
1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA IO
BHE
/BLE
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CY62157ESL-45ZSXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M MOBL ULTRA LO PWR HIGH SPEED ASYNC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY62157EV18LL-45BVXI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2