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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY62148VLL-70ZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | Quadruple 2-Input Positive-OR Gate 14-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP2-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | CY62148VLL-70ZI |
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CY62148CV25/30/33
MoBL
Document #: 38-05035 Rev. *A
Page 5 of 13
AC Test Loads and Waveforms
R1
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16.6
15.4
8.0
1.20
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
3.3V
1.216
1.374
0.645
1.75
Unit
K Ohms
K Ohms
K Ohms
Volts
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
V
DR
Description
Conditions
Min.
1.5
Typ.
[4]
Max.
V
ccmax
Unit
V
V
CC
for Data Retention
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
> V
CC
0.2V or V
IN
< 0.2V
3
10
μ
A
t
CDR[5]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery
Time
0
ns
t
R[6]
t
RC
ns
Data Retention Waveform
Note:
6.
Full Device AC operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min.)
> 50
μ
s or stable at V
CC(min.)
>
50
μ
s.
V
CC
Typ
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
OUTPUT
V
TH
Equivalent to:
TH
é
VENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
Fall time: 1 V/ns
Rise Time: 1 V/ns
V
CC(min.)
t
R
V
CC(min.)
t
CDR
V
DR
> 1.5V
DATA RETENTION MODE
CE
V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62148DV30L | 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM |
| CY62148DV30L-55BVI | 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM |
| CY62148DV30L-55BVXI | 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM |
| CY62148DV30L-55SXI | 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM |
| CY62148DV30L-55ZSXI | 4-Mb (512K x 8) MoBL Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62148VLL-70ZXIT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY62148VN | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8) Static RAM |
| CY62148VNBLL-70BAI | 功能描述:IC SRAM 512KX8 PD LP BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY62148VNBLL-70BAIT | 功能描述:IC SRAM 512KX8 PD LP 36FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| CY62148VNLL | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8) Static RAM |
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