參數(shù)資料
型號： CY62147DV30LL-55BVXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 359K
代理商： CY62147DV30LL-55BVXI
CY62147DV30
Document #: 38-05340 Rev. *F
Page 8 of 12
Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)
[22]
Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW)
[22]
Switching Waveforms
(continued)
DATA
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相關PDF資料
PDF描述
CY62147DV30LL-55ZSXI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147DV30LL-70BVI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147DV30LL-70BVXA 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147V18 256K x 16 Static RAM(256K x 16靜態(tài)RAM)
CY62147V 4M (256K x 16) Static RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY62147DV30LL-55ZSI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM ASYNC SGL 2.5V/3.3V 4MBIT 256KX16 55NS 44TSOP-II - Bulk
CY62147DV30LL-55ZSXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4MB (256K X 16) 3.0V SUPER LOW POWER SLOW - Bulk
CY62147DV30LL-70BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4MB (256K X 16) 3.0V SUPER LOW POWER SLOW SRAM - Bulk
CY62147DV30LL-70BVXA 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 256KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62147DV30LL-70BVXAT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 256KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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