參數(shù)資料
型號： CY62146VLL-70ZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4M (256K x 16) Static RAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO44
封裝： TSOP2-44
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： CY62146VLL-70ZI
CY62146V MoBL
Document #: 38-05159 Rev. *A
Page 5 of 10
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
CE LOW to Write End
Address Set-up to Write End
Address Hold from Write End
Address Set-up to Write Start
WE Pulse Width
BHE / BLE Pulse Width
Data Set-up to Write End
Data Hold from Write End
WE LOW to High-Z
[7, 8]
WE HIGH to Low-Z
[7]
60
60
0
0
40
60
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
10
Switching Characteristics
Over the Operating Range (continued)
[6]
Parameter
Description
70 ns
Unit
Min.
Max.
Switching Waveforms
Notes:
11.
12. WE is HIGH for read cycle.
13. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
Device is continuously selected. OE, CE = V
IL
.
ADDRESS
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
Read Cycle No. 1
[11, 12]
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
DBE
t
LZBE
t
LZCE
t
PU
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
IMPEDANCE
I
CC
I
SB
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
OE
CE
HIGH
V
SUPPLY
CURRENT
Read Cycle No. 2
[12, 13]
t
HZBE
BHE/BLE
t
DOE
t
LZOE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY64146V 4M (256K x 16) Static RAM
CY62147CV18 256K x 16 Static RAM
CY62147CV18LL-55BAI 256K x 16 Static RAM
CY62147CV18LL-55BVI 256K x 16 Static RAM
CY62147CV18LL-70BAI 256K x 16 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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