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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY62146DV30LL-45BVI |
| 廠(chǎng)商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | CY62146DV30LL-45BVI |
CY62146DV30
Document #: 38-05339 Rev. *A
Page 7 of 11
Write Cycle No. 1 (WE Controlled)
[15, 19, 20]
Write Cycle No. 2 (CE
Controlled)
[15, 19, 20]
Notes:
19.Data I/O is high impedance if OE = V
.
20.If CE goes HIGH simultaneously with WE = V
, the output remains in a high-impedance state.
21.During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
OE
t
HZOE
DATA
IN
NOTE 21
BHE/BLE
t
BW
t
SCE
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 21
BHE/BLE
t
BW
t
SA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62146CV30 | 256K x 16 Static RAM |
| CY62146CV30LL-55BAI | 256K x 16 Static RAM |
| CY62146CV30LL-55BVI | 256K x 16 Static RAM |
| CY62146CV30LL-70BAI | 256K x 16 Static RAM |
| CY62146CV30LL-70BVI | 256K x 16 Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62146DV30LL-45BVXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146DV30LL-45ZSXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146DV30LL-55BVI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62146DV30LL-55BVXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM |
| CY62146DV30LL-55ZSXI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:SLOW 3.0V SUPER LOW POWER 256KX16 SRAM - Bulk |
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