參數(shù)資料
型號(hào)： CY62137CV30LL
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述： 2兆位（128K的× 16）靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： CY62137CV30LL
CY62137CV30/33 MoBL
CY62137CV MoBL
Document #: 38-05201 Rev. *G
Page 8 of 13
Write Cycle No. 1 (WE Controlled)
[13, 17, 18]
Write Cycle No. 2 (CE
Controlled)
[13, 17, 18]
Notes:
17.Data I/O is high-impedance if OE = V
.
18.If CE goes HIGH simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state.
19.During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
VALID
NOTE
19
t
BW
DATA I/O
ADDRESS
CE
WE
OE
BHE/BLE
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
DATA
IN
VALID
NOTE 19
t
BW
t
SA
t
HZOE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
BHE/BLE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62137CV30LL-55BVXI 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV30LL-70BAE 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV30LL-70BVE 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV30LL-70BVXE 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137CV33LL 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62137CV30LL-55BAI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:2MB (128K X 16)- SLOW ASYNCH SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62137CV30LL-55BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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CY62137CV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62137CV30LL-55BVXIT 功能描述:IC SRAM 2MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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