參數(shù)資料
型號(hào): CY62128BNLL-70ZAI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
中文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
封裝: 8 X 13.40 MM, STSOP-32
文件頁(yè)數(shù): 9/12頁(yè)
文件大小: 589K
代理商: CY62128BNLL-70ZAI
CY62128BN
MoBL
Document #: 001-06498 Rev. *A
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Package Diagrams
0.546[13.868]
0.566[14.376]
0.440[11.176]
0.450[11.430]
0.101[2.565]
0.111[2.819]
0.050[1.270]
BSC.
0.014[0.355]
0.020[0.508]
0.118[2.997]
MAX.
0.004[0.102]
0.047[1.193]
0.063[1.600]
0.006[0.152]
0.012[0.304]
0.023[0.584]
0.039[0.990]
0.793[20.142]
0.817[20.751]
MIN.
SEATING PLANE
1
16
17
32
0.004[0.102]
51-85081-*B
32-pin (450 Mil) Molded SOIC (51-85081)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62128BNLL-70ZAXE 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128BNLL-70ZAXI 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128BNLL-70ZC 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128BNLL-70ZI 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128BNLL-70ZXA 1-Mbit (128K x 8) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62128BNLL-70ZAXE 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62128BNLL-70ZAXET 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62128BNLL-70ZAXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62128BNLL-70ZC 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1-Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128BNLL-70ZI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1-Mbit (128K x 8) Static RAM