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參數(shù)資料
| 型號： | CY14B104L |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8/256K × 16）非易失 |
| 文件頁數(shù)： | 9/21頁 |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | CY14B104L |
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 9 of 21
Thermal Resistance
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
48-FBGA 44-TSOP II 54-TSOP II
TBD
TBD
Unit
°
C/W
Test conditions follow standard test methods
and procedures for measuring thermal
impedance, in accordance with EIA/JESD51.
TBD
Θ
JC
TBD
TBD
TBD
°
C/W
AC Test Loads
3.0V
OUTPUT
5 pF
R1 577
R2
789
3.0V
OUTPUT
30 pF
R1 577
R2
789
for tri-state specs
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| CY14B104L-ZS25XI | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY14B104LA | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104LA_11 | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512 K × 8/256 K × 16) nvSRAM |
| CY14B104LA_1106 | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times |
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