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參數(shù)資料
| 型號： | CXK79M36C165GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z LVCMOS I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1z的LVCMOS的I / O（為512k × 36）（27頁364K牧師7/6/01） |
| 文件頁數(shù)： | 27/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 554K |
| 代理商： | CXK79M36C165GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
27 / 30
July 19, 2002
Ordering Information
Part Number
V
DD
I/O Type
Configuration
Speed
(Cycle Time / Data Access Time)
CXK79M72C160GB-33
1.8V
HSTL
256Kb x 72
3.3ns / 1.8ns
CXK79M72C160GB-4
1.8V
HSTL
256Kb x 72
4.0ns / 2.1ns
CXK79M72C160GB-5
1.8V
HSTL
256Kb x 72
5.0ns / 2.3ns
CXK79M36C160GB-33
1.8V
HSTL
512Kb x 36
3.3ns / 1.8ns
CXK79M36C160GB-4
1.8V
HSTL
512Kb x 36
4.0ns / 2.1ns
CXK79M36C160GB-5
1.8V
HSTL
512Kb x 36
5.0ns / 2.3ns
CXK79M18C160GB-33
1.8V
HSTL
1Mb x 18
3.3ns / 1.8ns
CXK79M18C160GB-4
1.8V
HSTL
1Mb x 18
4.0ns / 2.1ns
CXK79M18C160GB-5
1.8V
HSTL
1Mb x 18
5.0ns / 2.3ns
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