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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | csy 210 |
| 廠(chǎng)商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs MMIC(砷化鎵微波放大器) |
| 中文描述： | 砷化鎵微波單片集成電路（砷化鎵微波放大器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | CSY 210 |
Data Book
8
03.00
CSY 210
Insertion Loss vs. Input Power
(RF2 - RFC @ A =
V
CC
= 3 V; B= 0 V;
f
= 900 MHz pulsed:
T
on
= 577
μ
S;
12.5% duty cycle GSM-Signal)
30
-2
I
dB
EHT09027
31
32
Input Power
33
34
35
dBm 37
3 V
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
0
Isolation vs. Input Power
(RF2 - RF1 @ A =
V
CC
= 3 V; B = 0 V;
f
= 900 MHz pulsed:
T
on
= 577
μ
S;
12.5% duty cycle GSM-Signal)
30
-19
I
dB
-11
EHT09028
-18
-17
-16
-15
-14
-13
-12
-10
31
32
Input Power
33
34
35
dBm 37
3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| CT-522 | Double Pole Double Throw Low Level to 2 Amperes 0.150 in. Terminal Spacing |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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