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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CSD823Y |
| 英文描述： | Optoelectronic |
| 中文描述： | 光電 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 491K |
| 代理商： | CSD823Y |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSQ253G | Optoelectronic |
| CSQ253H | Optoelectronic |
| CSQ253R | Optoelectronic |
| CSQ253S | Optoelectronic |
| CSQ253Y | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CSD-823Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION |
| CSD83325L | 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:6 PicoStar 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CSD83325LT | 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:6 PicoStar 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CSD-833D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION |
| CSD-833E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION |
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